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スパッタ装置

スパッタ装置

  • 研究・開発に適したコンパクト&エコノミー
  • 本装置は種々の材料をスパッタする事を目的とします。

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◆標準仕様
スパッタ室
  • 円筒横型真空チャンバー
寸法 約ф350×D270
素材 SUS304
到達圧力 5×10-5Pa台
作業圧力 02〜1.3Pa
覗窓 1個所
ガス導入弁 2系統
電極・サブストレート
  • 基板加熱温度
MAX.300℃
成膜速度(*1) 60nm/min(Al,RF200W)
膜厚分布(*1) ф60の範囲で±10%
ターゲット ф75×3
サブストレートホルダ ф75
真空排気系
  • 排気ユニット
高真空排気装置DS-412Z
真空計 電離真空計
ピラニ真空計
電気系
  • 高周波電源 AC200V 300W 13.56MHz
    マッチングボックス、手動3点切替器
安全対策
  • 断熱リレー
ユーティリティー
  • スペース
W2200×D1300×H1500
Arガス 5〜30kPa
冷却水
液体窒素
0.13〜0.15MPa 6L/min以上
電圧 3ф 200V 4.2kVA
  • *1:ターゲット基盤間距離=70mm
◆用途
  • 電池材料、マイクロマシン、反射防止膜、バリア膜、透明導電膜
  • *外観・仕様については改善のため予告なく変更することがあります。

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