マイクロ波プラズマCVD装置

特徴: 本装置は、マイクロ波プラズマを用いた表面処理やダイヤモンド膜合成などに用います。
ダイヤモンド合成の研究・開発に !／マイクロ波プラズマ処理の研究・開発に！
用途: ダイヤモンド製膜／窒化炭素製膜／カーボンナノチューブ／各種の気相プラズマ反応／エッチング／表面処理
その他のオプション品: 計装ソフトによる集中パソコン制御； WebAccess使用／放射温度計； 600～3000 ℃、ファイバー式／プラズマモニター ; 656nm（原子状水素発光）、515nm（C2発光）を常時モニター
ユーティリティ: 設置スペース : W770xD620xH1400 （マイクロ波電源除く本体部）／電気、冷却水、バルブ駆動圧空（ボンベ供給可）、排気ダクト／原料ガス供給設備（ガスボンベなど）

標準仕様（括弧内はオプション）

反応室	ジャケット水冷式円筒型真空槽材質　SUS304 サイズ　ф140 ｘＨ200 マイクロ波導入窓　ф160、石英ガラス製覗き窓　ф14 ｘ２個、石英ガラス製基板ホルダー　水冷銅製シャフト構造試料台　ф1インチとф2インチ、モリブデン製各1個基板交換　反応室底部昇降式
ガス導入系	マスフローコントローラ　2系列（3系列 ; メタン、水素、窒素など）
真空計	隔膜真空計　F-tron真空計、133～0.1 kPa ピラニー真空計　デジタル表示器、100～0.01 kPa
排気系	油回転ポンプ（ターボモレキュラーポンプ） 240 L/min、オイルミストトラップ付き排気速度調整　手動（または自動圧力調整）
マイクロ波電源	周波数　2.45 GHz 容量　0.5～3 kW （5 kW）導波管一式　パワーメータなど一式整合器　4Eチューナ型自動整合器（手動E-Hチューナ）モード変換器　TE10→TM01 に変換