マイクロ波プラズマCVD装置
マイクロ波プラズマCVD装置
- 特徴
-
本装置は、マイクロ波プラズマを用いた表面処理やダイヤモンド膜合成などに用います。
ダイヤモンド合成の研究・開発に !/マイクロ波プラズマ処理の研究・開発に!
- 用途
-
ダイヤモンド製膜/窒化炭素製膜/カーボンナノチューブ/各種の気相プラズマ反応/エッチング/表面処理
- その他のオプション品
-
計装ソフトによる集中パソコン制御 ; WebAccess使用/放射温度計; 600~3000 ℃、ファイバー式/プラズマモニター ; 656nm(原子状水素発光)、515nm(C2発光)を常時モニター
- ユーティリティ
-
設置スペース : W770xD620xH1400 (マイクロ波電源除く本体部)/電気、冷却水、バルブ駆動圧空(ボンベ供給可)、排気ダクト/原料ガス供給設備 (ガスボンベなど)
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マイクロ波プラズマCVD装置
標準仕様(括弧内はオプション)
反応室
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ジャケット水冷式円筒型真空槽
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材質 SUS304
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サイズ ф140 x H200
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マイクロ波導入窓 ф160、石英ガラス製
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覗き窓 ф14 x 2個、石英ガラス製
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基板ホルダー 水冷銅製シャフト構造
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試料台 ф1インチとф2インチ、モリブデン製 各1個
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基板交換 反応室底部昇降式
ガス導入系
マスフローコントローラ 2系列 (3系列 ; メタン、水素、窒素など)
真空計
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隔膜真空計 F-tron真空計、133~0.1 kPa
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ピラニー真空計 デジタル表示器、100~0.01 kPa
排気系
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油回転ポンプ(ターボモレキュラーポンプ)
240 L/min、オイルミストトラップ付き
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排気速度調整 手動 (または 自動圧力調整)
マイクロ波電源
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周波数 2.45 GHz
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容量 0.5~3 kW (5 kW)
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導波管一式 パワーメータ など 一式
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整合器 4Eチューナ型自動整合器 (手動E-Hチューナ)
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モード変換器 TE10→TM01 に変換
備考
*外観・仕様については改善のため予告なく変更することがあります。
Contactお問い合わせ
はじめてお取引をご検討頂いているお客様も、
当社と既にお取引をさせていただいているお客様も
お気軽にお電話にてご連絡ください。
マイクロ波プラズマCVD装置
- 特徴
-
本装置は、マイクロ波プラズマを用いた表面処理やダイヤモンド膜合成などに用います。
ダイヤモンド合成の研究・開発に !/マイクロ波プラズマ処理の研究・開発に! - 用途
- ダイヤモンド製膜/窒化炭素製膜/カーボンナノチューブ/各種の気相プラズマ反応/エッチング/表面処理
- その他のオプション品
- 計装ソフトによる集中パソコン制御 ; WebAccess使用/放射温度計; 600~3000 ℃、ファイバー式/プラズマモニター ; 656nm(原子状水素発光)、515nm(C2発光)を常時モニター
- ユーティリティ
- 設置スペース : W770xD620xH1400 (マイクロ波電源除く本体部)/電気、冷却水、バルブ駆動圧空(ボンベ供給可)、排気ダクト/原料ガス供給設備 (ガスボンベなど)
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マイクロ波プラズマCVD装置
標準仕様(括弧内はオプション)
反応室 |
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ガス導入系 | マスフローコントローラ 2系列 (3系列 ; メタン、水素、窒素など) |
真空計 |
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排気系 |
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マイクロ波電源 |
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備考
*外観・仕様については改善のため予告なく変更することがあります。
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